VO2晶體電子結(jié)構(gòu)及其摻雜的第一性原理研究

運(yùn)用密度泛函平面波贗勢(PWP)和廣義梯度近似(GGA)方法,對二氧化釩(VO2)兩種不同晶體電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了計(jì)算.研究了低溫單斜晶型和高溫四方晶型結(jié)構(gòu)的VO2電子態(tài)密度(DOS)和能帶(energy band)結(jié)構(gòu),通過分析發(fā)現(xiàn),四方晶的金屬性比較明顯,這是由于電子態(tài)密度和能帶結(jié)構(gòu)分析結(jié)果表明不同特性產(chǎn)生的原因是V原子的3d電子貢獻(xiàn)不同導(dǎo)致的.本文中我們還將部分O原子替換為F原子后對單斜晶替位摻雜進(jìn)行了的計(jì)算討論,本文的計(jì)算結(jié)果都較好地符合實(shí)驗(yàn)結(jié)果,表明密度泛函平面波贗勢和廣義梯度近似方法可以用來描述VO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì).我們認(rèn)為,這種方法應(yīng)用于描述氧化物的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)是一種新的探索.

作 者： 胡永金 趙江 崔磊 滕玉永 曾祥華 HU Yong-jin ZHAO Jiang CUI Lei TENG Yu-yong ZENG Xiang-hua   作者單位： 揚(yáng)州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,揚(yáng)州,225002  刊 名： 原子與分子物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(5)  分類號： O481.1  關(guān)鍵詞： 態(tài)密度   能帶結(jié)構(gòu)   單斜晶   四方晶  

【VO2晶體電子結(jié)構(gòu)及其摻雜的第一性原理研究】相關(guān)文章：

LiNiO2及摻雜化合物的結(jié)構(gòu)與穩(wěn)定性的第一性原理研究04-27

摻雜CLBO晶體的生長及性能研究04-28

第一性原理計(jì)算LiNBe(N=1～12)團(tuán)簇的基態(tài)結(jié)構(gòu)及其電子性質(zhì)04-29

分子線電子輸運(yùn)特性的第一性原理研究04-28

第一性原理計(jì)算MgBeN(N=1-7)團(tuán)簇的最低能量結(jié)構(gòu)及其電子性質(zhì)04-26

不同摻雜濃度Ce:YAP閃爍晶體的性能研究04-28

第一性原理計(jì)算Li2BeN(N=1～10)團(tuán)簇的最低能量結(jié)構(gòu)及其電子性質(zhì)04-29

一維摻雜光子晶體的缺陷模和偏振特性研究04-28

Yb:YAG晶體的可見熒光及其機(jī)理研究04-29

DFT方法研究LaNi5M(M=0,D,Al)的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)04-26